可評估薄膜導電的高溫四探針測試儀采用直排四探針法設(shè)計原理測量。主要用于評估半導體薄膜和薄片的導電，參考美國 A.S.T.M 標準設(shè)計。重復性與穩(wěn)定性好，采用雙屏蔽高頻測試線纜，提高測試參數(shù)的精確度，同時。本設(shè)備也可應(yīng)用于產(chǎn)品檢測以及新材料電學研究等用途。

高溫四探針測試儀的測量原理：

• 測量電阻率的方法很多，如三探針法、電容-電壓法、擴展電阻法等，四探針法則是一種廣泛采用的標準方法，高溫四探針測試儀采用經(jīng)典直排四探針原理，同時采用了雙電測組合四探針法。

• 經(jīng)典的直排四探針法測試電阻率，要求使用等間距的探針，如果針間距離不等或探針有游移，就會造成實驗誤差。當被測片較小或在大片邊緣附近測量時，要求計入電場畸變的影響進行邊界修正。

• 采用雙電測組合四探針的出現(xiàn)，為提高薄膜電阻和體電阻率測量準確度創(chuàng)造了有利條件。

高溫四探針測試儀采用雙電測組合四探針法的優(yōu)勢：

可按用戶要求訂制非標產(chǎn)品

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